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C-33型 國產雙面光刻機 精密光刻設備
簡要描述:

C-33型 國產雙面光刻機 精密光刻設備被廣泛應用于中小規模集成電路、半導體元器件、以及聲表面波器件的研制和生產。它的高級找平機構使其適用于各種材料的曝光,包括硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片等。雙面對準單面曝光:這臺機器具備雙面對準單面曝光功能,可以在一個工藝中對準并曝光兩側,提高了生產效率。普通光刻機工作:除了雙面對準單面曝光,它還可以執行普通光刻機的各種工作任務。

  • 產品型號:
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2024-09-09
  • 訪  問  量:303

詳細介紹

品牌crisoptical/長恒榮創照明高均勻性LED曝光頭
光強不超過20毫瓦曝光面積100毫米×100毫米
曝光不均勻性不超過3%曝光強度可調至不低于30毫瓦/平方厘米
紫外光束角度不超過3度紫外光中心波長365納米、404納米、435納米

C-33型 國產雙面光刻機 精密光刻設備

C-33型 國產雙面光刻機 精密光刻設備主要用途:

C-33型光刻機被廣泛應用于中小規模集成電路、半導體元器件、以及聲表面波器件的研制和生產。它的高級找平機構使其適用于各種材料的曝光,包括硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片等。

雙面對準單面曝光:這臺機器具備雙面對準單面曝光功能,可以在一個工藝中對準并曝光兩側,提高了生產效率。

普通光刻機工作:除了雙面對準單面曝光,它還可以執行普通光刻機的各種工作任務。

雙面對準精度檢查:此外,它還充當了一個檢查雙面對準精度的檢查儀,確保產品的高質量和精確度。


C-33型 國產雙面光刻機 精密光刻設備主要性能指標:

高均勻性LED曝光頭:

光強:不超過20毫瓦

曝光面積:100毫米×100毫米

曝光不均勻性:不超過3%

曝光強度:可調至不低于30毫瓦/平方厘米

紫外光束角度:不超過3度

紫外光中心波長:365納米、404納米、435納米可選擇

紫外光源壽命:不低于2萬小時

電子快門精準控制

對準精度:1微米

曝光精度:1微米

套刻精度:1微米

觀察系統:

采用上下各兩個單筒顯微鏡,每個上裝有四個CCD攝像頭,通過視屏線連接到計算機和液晶顯示屏。

單筒顯微鏡可連續變倍,范圍從0.7倍至4.5倍。

CCD攝像機靶面對角線尺寸:1/3英寸,6毫米。

使用19英寸液晶監視器,數字放大倍率最高可達57倍。

觀察系統的放大倍數范圍:最小40倍,最大256倍,或者介于91倍至570倍之間。

右側板上設有一個視屏轉換開關,向左為下面兩個CCD,向右為上面兩個CCD。

計算機硬件和軟件系統:

鼠標單擊“開始對準"按鈕,可以將監視屏上的圖形記錄下來,并將其處理為透明的,以便對新進圖形進行對準。

鼠標雙擊左側或右側的圖形,可以分別在整個屏幕上顯示左側或右側的圖形。

特殊的板架裝置:

該裝置可以裝入152×152的板架,并對版進行真空吸附。

裝置安裝在機座上,能夠圍繞點A進行翻轉運動,相對于承片臺進行上下翻轉運動,以便對上下版和上下片進行操作。

該裝置可以反復翻轉,回到承片臺上的平面位置,重復精度不超過±1.5微米。

此裝置具有補償基片楔形誤差的功能,確保上下版平面與上下片平面緊密接觸,提高曝光質量。

承片臺調整裝置:

配備Φ75和Φ100兩種承片臺,每個承片臺都有兩個長方形孔,下面的兩個CCD可以通過這些孔觀察到板或片的下平面。

承片臺可以進行X、Y、Z和θ運動,X、Y、Z的運動范圍為正負5毫米,θ運動范圍為正負5度。

承片臺密著環可以實現“真空密著",真空密著力可調,分為硬接觸、軟接觸和微力接觸。


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